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威尼斯城娱乐官方平台:威尼斯城娱乐官方平台有怎样的未来发展趋势呢

文字:[大][中][小] 手机页面二维码 2021/5/6     浏览次数:    
  超高导热陶瓷材料的研究。

  随着电子芯片向高性能、高速、高集成度的不断发展,电子元器件的发热量和相对热量流量越来越高。散热逐渐成为电子元件需要解决的重要技术之一。为了实现系统的多种功能,SIP还必须与高导热材料密切相关。为了解决电子元件的散热问题,除了采用更好的冷却技术外,导热系数在300~400w/mk之间的高导热材料和导热系数在400w/mk以上的超高导热材料以及热膨胀系数与半导体材料相匹配的新型封装材料已经成为越来越多的研究热点。含碳材料具有极高的导热性、低密度,有些材料具有高强度。它们是未来包装材料不可或缺的材料,在SIP中也发挥着重要的作用。特别是第四代芯片材料石墨烯也是碳材料,用类似的材料包装在热膨胀匹配方面肯定有其他材料无法比拟的优点。碳材料主要包括钻石、碳纤维、碳纳米管等。但由于技术限制,各种含碳材料主要作为第二添加剂,提高复合材料的热传导性。未来的主要研究方向是三维碳材料,如钻石成型和烧结工艺、碳纤维三维编织工艺、碳/碳复合材料制备工艺等。

  新型纳米陶瓷的发展。

  由溶胶-凝胶法和共沉法等纳米粉体合成技术制成的新型纳米陶瓷粉体具有传统陶瓷材料所不具备的多种性能。例如,硅铝氮材不仅具有氮化铝材的高导热率,而且具有氮化硅的高强度和氧化硅的良好介电性能。由于原子级复合,铝硼氮复合材料比传统氮化铝/氮化硼复合材料具有更好的导热率和更低的烧结温度。因此,新型纳米陶瓷的发展将推动SIP技术的发展。


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  低维度材料的发展。

  为了满足高密度、高频率和高集成度的要求,包装正向三维方向发展,将薄而轻的低维结构引入特定的内部结构单元。薄膜材料已广泛应用于高密度包装领域。未来,随着对电子元件小型化的要求越来越高,传统三维材料甚至二维材料可能无法满足要求,封装材料单元可能发展成一维材料(纤维或晶须)。例如,可以用低k值的陶瓷纤维布代替陶瓷基础绝缘。陶瓷纤维布的表面和内部可以用亚微米金属纤维布线,发挥导电作用的高导热碳纤维代替散热基板散热。使用具有一定强度和良好密封性能的材料进行密封和承载。这不仅可以保证系统功能的实现,还可以利用纤维材料的灵活性,使封装部分靠近芯片,减少封装面积,细金属纤维具有良好的导电性。晶须状材料植入硅作为成分。制作晶须或纤维复合威尼斯城娱乐官方平台,通过定向排列的一维材料达到良好的散热效果,而基材可采用具有良好力学性能的材料,起到良好的支撑作用。这些都为SIP的小型化和功能整合发挥了革命性的作用。整合微系统技术逐渐成为电子设备小型化的主要发展方向。其内部集成了各种类型的芯片,对外部包装结构提出了更多样化的要求。SIP技术可以很好地满足集成微系统包的多样性要求。但首先,为了满足包装系统的多样化需求,需要从基础材料进行相关研究,实现材料性能的系列化和多样化。
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